第61章 一个大胆的设想,开启第二次试验 (第2/2页)

陆隐笑了。

“曾老，各位，我知道你们之前一直都疑惑为什么明明已经研发出了2nm光刻机，我还是不满意。”

“因为从一开始，我就没打算研发2nm，我的目标一直都是研发1nm光刻机。”

曾泉本想说2nm光刻机也挺好的，只要发布出去就会解了华国现如今的燃眉之急，但话还没出口，就被陆隐打断。

“对于科研，我从来不是个可以将就的人，1nm光刻机确实是个挑战人类极限的事情，全世界也没有哪个国家能攻克，但别人做不到的，我们可以。”

陆工微微侧身，露出身后主控电脑中的大型光刻机模样，“经过这几天的观察，我已经找到了解决的方法，如今就剩下实践了。”

“陆工，这是……”曾泉盯着看了一下，有些看不明白，但心中又好像有什么东西一闪而过，只是闪得太快，他有些抓不住。

就连曾泉都一知半解，其他几人更是一头雾水。

知道复杂的他们听不懂，陆隐简单做了说明。

这段时间他参考了很多国内外光刻机失败案例，最终得出答案，问题就出在这193nm的深紫外光上。

193nm深紫外光一直是郁金香国和西洋国等科技大国用来研发光刻机的光源，但他此时研发的是1nm光刻机，是目前世界上没有任何国家能研发出来的人类极限，故而，这光源自然也不合适了。

想要突破这道极限，就必须要将光源缩短，但193nm深紫外光源已经是目前已知的最先进也是最常用光源，想要找到替代的光源，难上加难。

直到那天他无意中将水洒在手机屏幕上，水滴形成了简易的凹凸面，放大了屏幕上的字体。

换一句话来说，通过在硅晶圆前面添加一层水作为介质，就可以将193nm的光源折射后等效为134nm的波长，从而提高分辨率，就可以成为浸润式光刻机。

理论上，浸润式光刻机可以支持到65纳米制程，一般来说，浸润式光刻机只可以支持到7纳米制程，但事实上，浸润式光刻机的实际极限远不止7纳米，只要加大成本，浸润式光刻机可以推进到3纳米甚至2纳米制程。

但这涉及到多重曝光和对准的问题。

打个比方来说，对于一个芯片来而言，原本的电路图案可能有10层，我们可以将其拆分为30层、40层甚至更多层次，通过多次光刻工艺，最终可以实现更高的分辨率。

但这对光刻过程十分严格，每一次光刻过程都要保证准确对准，这是一个极难攻克的点，可以形象地比喻为在一张小纸上拓印一个王字，若直接一次性拓印肯定不行，因为纸太小了。

所以我们要将其分为多次拓印，先拓印一横，慢慢挪动纸，再拓印一横，然后拓印一竖，最终形成一个“干”字，再拓印一横，最终得到“王”字。

“竟然这么简单？！”

曾泉听后，眼睛噌的一下就亮了，眼中精光流转，满脸兴奋和好奇，仿佛触碰到了从未见过的知识点。

事实上，这一观点他也只在陆隐口中听过。

他抬头看着越来越看不清原本面貌的光刻机，心中还有些担忧。

“陆工，你有多大的把握，若是这个设想不成功，这台光刻机可就报废了。”曾泉问道。

陆隐双眼中闪过一丝坚定，“九成吧，行不行两天后就知道了。”

“这次的改装已经进行到了最后的阶段，两天后，将开启第二次试验。”